是指金属与半导体的接触,而其接触面的电阻值远小于半导体本身的电阻,使得组件操作时,大部分的电压降在于活动区而不在接触面。
欲形成好的欧姆接触,有二个先决条件:
1、金属与半导体间有低的界面能障。
2、半导体有高浓度的杂质掺入前者可使界面电流中热激发部分增加;后者则使界面空乏区变窄,电子有更多的机会直接穿透欧姆接触,无适当的金属可用,必须于半导体表面掺杂高浓度杂质。
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